窒化物半導体ヘテロ接合における界面揺らぎの制御と量子光学デバイス応用

• 資料種別: 図書
• タイトル: 窒化物半導体ヘテロ接合における界面揺らぎの制御と量子光学デバイス応用
• 著者・編者: 正直, 花奈子
• 著者標目: 正直, 花奈子
• 出版事項: 三重大学
• 出版年月日等: 2022-05-20
• 出版年（W3CDTF）: 2022-05-20
• 並列タイトル等: Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化物半導体; 窒化アルミニウム; 表面形態
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; application/pdf; 2019年度～2021年度科学研究費補助金(若手研究)研究成果報告書; 19K15025
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション

• 要約等: 本研究では、量子光学応用を目的として、AlGaN気相成長において、原子層レベルの界面揺らぎの制御と、それが光学特性に与える影響を明らかにすることを目的として行った。まず、AlNテンプレートにおける表面平坦性を確保するために、低転位密度のスパッタアニールAlN上に有機金属気相成長（MOVPE）法を用い...