窒化物半導体ヘテロ接合における界面揺らぎの制御と量子光学デバイス応用

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Summary, etc.：: 本研究では、量子光学応用を目的として、AlGaN気相成長において、原子層レベルの界面揺らぎの制御と、それが光学特性に与える影響を明らかにすることを目的として行った。まず、AlNテンプレートにおける表面平坦性を確保するために、低転位密度のスパッタアニールAlN上に有機金属気相成長（MOVPE）法を用い...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 窒化物半導体ヘテロ接合における界面揺らぎの制御と量子光学デバイス応用
Author/Editor: 正直, 花奈子
Author Heading: 正直, 花奈子
Publication, Distribution, etc.: 三重大学
Publication Date: 2022-05-20
Publication Date (W3CDTF): 2022-05-20
Alternative Title: Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 窒化物半導体
窒化アルミニウム
表面形態
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
2019年度～2021年度科学研究費補助金(若手研究)研究成果報告書
19K15025
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション