種結晶成長法における転位密度の数値解析

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 種結晶成長法における転位密度の数値解析
• 著者・編者: 中野, 智
• 著者標目: 中野, 智 ナカノ, サトシ
• 出版事項: 九州大学応用力学研究所
• 出版年月日等: 2019-07
• 出版年（W3CDTF）: 2019-07
• タイトル（掲載誌）: 九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告
• 巻号年月日等（掲載誌）: 1
• 掲載巻: 1
• 掲載ページ: 8-14
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 種結晶成長法; 結晶成長方位; 転位; 数値解析
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.15017/2329116
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 掲載誌（NCID）: AA12867474; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA12867474
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 九州大学 : 九州大学学術情報リポジトリ

• 要約等: 太陽電池用シリコン結晶の成長において、転位は結晶の品質を低下させる大きな要因である。よって、シリコン結晶の品質の向上には、転位密度の精密な制御が重要である。今回、代表的な結晶成長方法の1つである種結晶成長法において、異なる結晶方位を持つ種結晶を用いた場合における転位密度の3次元数値解析を行った。その...