90nmCMOS回路における遅延・電力ばらつきのゲート段数およびゲート幅依存性に関する考察

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 90nmCMOS回路における遅延・電力ばらつきのゲート段数およびゲート幅依存性に関する考察
• 著者・編者: 山口, 聖貴; Yang, Yuan; 坂本, 良太; 室山, 真徳; 石原, 亨; 安浦, 寛人
• 著者標目: 山口, 聖貴 ヤマグチ, マサキ; Yang, Yuan; 坂本, 良太 サカモト, リョウタ; 室山, 真徳 ムロヤマ, マサノリ; 石原, 亨 イシハラ, トオル; 安浦, 寛人 ヤスウラ, ヒロト
• 出版事項: 電気情報通信学会
• 出版年月日等: 2007-03
• 出版年（W3CDTF）: 2007-03
• 並列タイトル等: A Study of Dependence on Gate Depth/Width for Analyzing Delay/Power Variations in 90nm CMOS Circuits
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告, VLD2006-118
• 掲載ページ: 73-78
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 遅延ばらつき; 電力ばらつき; Deep Sub-Micron; CMOS; Delay Variation; Power Variation
• 対象利用者: 一般
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報: 電子情報通信学会技術研究報告, VLD2006-118 || || p73-78; IEICE Technical Report, VLD2006-118 || || p73-78; http://www.c.csce.kyushu-u.ac.jp/SOC/index_j.html
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 九州大学 : 九州大学学術情報リポジトリ

• 要約等: 近年，製造ばらつきに起因する回路性能のばらつきが顕著になってきている．回路性能のばらつきは歩留まりを低下させるため，ばらつきに対処する設計手法が必要である．設計時にばらつきを考慮するためには，まず性能ばらつきの実態を確認する必要がある．本稿では，90nm プロセスを用いたCMOS 回路において実測を...