90nmCMOS回路における遅延・電力ばらつきのゲート段数およびゲート幅依存性に関する考察

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 90nmCMOS回路における遅延・電力ばらつきのゲート段数およびゲート幅依存性に関する考察
• Author/Editor: 山口, 聖貴; Yang, Yuan; 坂本, 良太; 室山, 真徳; 石原, 亨; 安浦, 寛人
• Author Heading: 山口, 聖貴 ヤマグチ, マサキ; Yang, Yuan; 坂本, 良太 サカモト, リョウタ; 室山, 真徳 ムロヤマ, マサノリ; 石原, 亨 イシハラ, トオル; 安浦, 寛人 ヤスウラ, ヒロト
• Publication, Distribution, etc.: 電気情報通信学会
• Publication Date: 2007-03
• Publication Date (W3CDTF): 2007-03
• Alternative Title: A Study of Dependence on Gate Depth/Width for Analyzing Delay/Power Variations in 90nm CMOS Circuits
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告, VLD2006-118
• Pages: 73-78
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 遅延ばらつき; 電力ばらつき; Deep Sub-Micron; CMOS; Delay Variation; Power Variation
• Target Audience: 一般
• Access Restrictions: インターネット公開
• Related Material: 電子情報通信学会技術研究報告, VLD2006-118 || || p73-78; IEICE Technical Report, VLD2006-118 || || p73-78; http://www.c.csce.kyushu-u.ac.jp/SOC/index_j.html
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 九州大学 : 九州大学学術情報リポジトリ

• Summary, etc.: 近年，製造ばらつきに起因する回路性能のばらつきが顕著になってきている．回路性能のばらつきは歩留まりを低下させるため，ばらつきに対処する設計手法が必要である．設計時にばらつきを考慮するためには，まず性能ばらつきの実態を確認する必要がある．本稿では，90nm プロセスを用いたCMOS 回路において実測を...