PL法によるSi中のSbドナー定量分析

• 資料種別: 規格・テクニカルリポート類
• タイトル: PL法によるSi中のSbドナー定量分析
• 著者・編者: 林, 大吾
• 著者標目: 林, 大吾 ハヤシ, ダイゴ
• 出版事項: 九州大学応用力学研究所
• 出版年月日等: 2025-07
• 出版年（W3CDTF）: 2025-07
• タイトル（掲載誌）: 九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告
• 巻号年月日等（掲載誌）: 7
• 掲載巻: 7
• 掲載ページ: 1-6
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体; シリコン; アンチモン（Sb）; フォトルミネッセンス; 分光分析; 濃度定量
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR
• DOI: 10.15017/7375861; https://doi.org/10.15017/7375861
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 掲載誌（NCID）: AA12867474; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA12867474
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 九州大学学術情報リポジトリ(QIR); https://www.lib.kyushu-u.ac.jp/papers

• 要約等: PL法はSi結晶中の不純物濃度を定量する測定手法の一つであり、JIS規格においてはP,As,AlおよびB濃度の定量測定法として規定されている。Sbはドナー元素として、PやAsと共に広く利用されているが、PL法による定量測定についての報告は過去にない。今回、Sbドープ結晶のPL測定を行うことで、Sb濃...