PL法によるSi中のSbドナー定量分析

• Material Type: 規格・テクニカルリポート類
• Title: PL法によるSi中のSbドナー定量分析
• Author/Editor: 林, 大吾
• Author Heading: 林, 大吾 ハヤシ, ダイゴ
• Publication, Distribution, etc.: 九州大学応用力学研究所
• Publication Date: 2025-07
• Publication Date (W3CDTF): 2025-07
• Periodical title: 九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告
• No. or year of volume/issue: 7
• Volume: 7
• Pages: 1-6
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 半導体; シリコン; アンチモン（Sb）; フォトルミネッセンス; 分光分析; 濃度定量
• Target Audience: 一般
• Note (General): 出版タイプ： VoR
• DOI: 10.15017/7375861; https://doi.org/10.15017/7375861
• Access Restrictions: インターネット公開
• Periodical Title (NCID): AA12867474; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA12867474
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 九州大学学術情報リポジトリ(QIR); https://www.lib.kyushu-u.ac.jp/papers

• Summary, etc.: PL法はSi結晶中の不純物濃度を定量する測定手法の一つであり、JIS規格においてはP,As,AlおよびB濃度の定量測定法として規定されている。Sbはドナー元素として、PやAsと共に広く利用されているが、PL法による定量測定についての報告は過去にない。今回、Sbドープ結晶のPL測定を行うことで、Sb濃...