半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構
• 著者・編者: 藤原, 賢三
• 著者標目: 藤原, 賢三 フジワラ, ケンゾウ
• 出版事項: 九州工業大学
• 出版年月日等: 2007-06
• 出版年（W3CDTF）: 2007-06
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: quantum wells; Ⅲ-nitride semiconductors; light-emitting-diodes; photoluminessence; electroluminescence; InGaN
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 平成16年度～平成18年度科学研究費補助金（基盤研究（B）） 研究成果報告書
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 九州工業大学 : キューテイカー

• 要約等: ＜はしがき＞この報告書は、平成１６年度から３年間にわたり実施したInGaN量子井戸構造を有する発光ダイオードの発光効率に関する研究をまとめたものである。エレクトロルミネッセンス効率の注入電流と温度依存性、フォトルミネッセンス発光効率の外部バイアスと温度依存性、光励起波長依存性、光励起強度依存性につい...