半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構

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Summary, etc.：: ＜はしがき＞この報告書は、平成１６年度から３年間にわたり実施したInGaN量子井戸構造を有する発光ダイオードの発光効率に関する研究をまとめたものである。エレクトロルミネッセンス効率の注入電流と温度依存性、フォトルミネッセンス発光効率の外部バイアスと温度依存性、光励起波長依存性、光励起強度依存性につい...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構
Author/Editor: 藤原, 賢三
Author Heading: 藤原, 賢三フジワラ, ケンゾウ
Publication, Distribution, etc.: 九州工業大学
Publication Date: 2007-06
Publication Date (W3CDTF): 2007-06
Text Language Code: jpn
Subject Heading: quantum wells
Ⅲ-nitride semiconductors
light-emitting-diodes
photoluminessence
electroluminescence
InGaN
Target Audience: 一般
Note (General): 平成16年度～平成18年度科学研究費補助金（基盤研究（B））研究成果報告書
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 九州工業大学 : キューテイカー