イオン化スパッタ法による微細金属配線成膜に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: イオン化スパッタ法による微細金属配線成膜に関する研究
• 著者・編者: 松中, 繁樹
• 著者標目: 松中, 繁樹
• 並列タイトル等: Study of fine metallic wiring using ionized sputtering
• 授与機関名: 九州工業大学
• 授与年月日: 2008-03-25
• 報告番号: 甲第72号
• 学位: 博士（工学）
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: Ionized sputter; Diverging magnetic field; Bottom coverage; Barrier metal; Unbalanced magnet; Antenna MOS; Asymmetry property; Via
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第1章 序論||第2章 イオン化スパッタに適したマグネット構造||第3章 イオン化スパッタによるゲート酸化膜ダメージの評価||第4章 ビアバリアメタル形成用イオン化スパッタ開発||第5章 300mm基板のバリア成膜用イオン化スパッタ開発||第6章 結論||謝辞||付録 A 発光分光による電子温度算出||付録 B プラズマシミュレーション||付録 B スパッタシミュレーション||参考文献; 九州工業大学博士学位論文 学位記番号:生工博甲第72号 学位授与年月日:平成20年3月25日; 平成19年度
• DOI: 10.18997/00000784
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: D-26_sei_k_72.pdf （fulltext）; https://kyutech.repo.nii.ac.jp/record/790/files/D-26_sei_k_72.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 九州工業大学 : キューテイカー