イオン化スパッタ法による微細金属配線成膜に関する研究

Material type: 博士論文

Author: 松中, 繁樹

Publisher: -

Publication date: -

Material Format: Digital

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Name of awarding university/degree: 九州工業大学,博士（工学）

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Note (General)：: 第1章序論||第2章イオン化スパッタに適したマグネット構造||第3章イオン化スパッタによるゲート酸化膜ダメージの評価||第4章ビアバリアメタル形成用イオン化スパッタ開発||第5章 300mm基板のバリア成膜用イオン化スパッタ開発||第6章結論||謝辞||付録 A 発光分光による電子温度算出...

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Material Type: 博士論文
Title: イオン化スパッタ法による微細金属配線成膜に関する研究
Author/Editor: 松中, 繁樹
Author Heading: 松中, 繁樹
Alternative Title: Study of fine metallic wiring using ionized sputtering
Degree grantor/type: 九州工業大学
Date Granted: 2008-03-25
Dissertation Number: 甲第72号
Degree Type: 博士（工学）
Text Language Code: jpn
Subject Heading: Ionized sputter
Diverging magnetic field
Bottom coverage
Barrier metal
Unbalanced magnet
Antenna MOS
Asymmetry property
Via
Target Audience: 一般
Note (General): 第1章序論||第2章イオン化スパッタに適したマグネット構造||第3章イオン化スパッタによるゲート酸化膜ダメージの評価||第4章ビアバリアメタル形成用イオン化スパッタ開発||第5章 300mm基板のバリア成膜用イオン化スパッタ開発||第6章結論||謝辞||付録 A 発光分光による電子温度算出||付録 B プラズマシミュレーション||付録 B スパッタシミュレーション||参考文献
九州工業大学博士学位論文学位記番号:生工博甲第72号学位授与年月日:平成20年3月25日
平成19年度
DOI: 10.18997/00000784
Format (IMT): application/pdf
Source: D-26_sei_k_72.pdf （fulltext）
https://kyutech.repo.nii.ac.jp/record/790/files/D-26_sei_k_72.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 九州工業大学 : キューテイカー