レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発
• 著者・編者: 堤, 直人; 堀田, 収; 吉本, 昌広
• 著者標目: 堤, 直人; 堀田, 収; 吉本, 昌広
• 出版年月日等: 2009-03
• 出版年（W3CDTF）: 2009-03
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: レーザー誘起周期表面構造,キラル構造,円Bragg反射,フェムト秒レーザー誘起ナノ細線配線,銀イオンの還元,２光子吸収励起,（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー; マイクロリングレーザー,光閉じ込め,発光トランジスタ,外部量子効率,交流ゲート電圧印加法; 半導体半金属混晶,発光波長温度無依存,分子線エピタキシー,ビスマス,Ⅲ-Ⅴ族半導体; ホトルミネセンス,レーザダイオード; Laser induced periodic surface structure,Chiral structure,Circular Bragg reflection,Femto laser induced nanometer scale silver wire,Reduction of silver ion,Two photon excitation,thiophene/phenylene co-oligomers; microring laser,optical confinement,Light-emitting field-effect transistor,external quantum efficiency,alternating-current gate voltage,semiconductor-semimetal alloy; temperature-insensitive bandgap,temperature-insensitive wavelength laser,molecular beam epitaxy,bismuth,III-V semiconductor,Photoluminescence,laser diode
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:Article; １．ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築：キラル構造をもたないアモルファス材料に円偏光照射により高度なキラリティーをもつへリックス構造を誘起できた。２光子励起を用いることで材料内の任意の場所に銀ナノ細線配線を構築できた。 ２．新奇有機光電子半導体材料：（チオフェン/フェニレン）コオリゴマー（II）：TPCOは安定かつ、発光デバイスの素材として高いパフォーマンスをもつ有機半導体であることを示した。 ３．分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs多重量子井戸構造の製作：Bi原子は、III-V族半導体の成長の際にサーファクタントとして用いられており、GaAs1-xBix/GaAs MQW構造を、分子線エピタキシー法を用いて成長温度350℃から400℃の範囲でGaAs(001)基板上に製作できることを明確にした。GaAs0.891Bi0.109/ GaAs MQW構造からは、通信用波長帯1.3 μmにおけるPL発光を室温において観測した。; identifier:平成２０年度教育研究推進事業成果報告書
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 京都工芸繊維大学 : ＫＩＴ学術成果コレクション