文書・図像類

レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発

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レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発

Material type
文書・図像類
Author
堤, 直人ほか
Publisher
-
Publication date
2009-03
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General)：

type:Article１．ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築：キラル構造をもたないアモルファス材料に円偏光照射により高度なキラリティーをもつへリックス構造を誘起できた。２光子励起を用いることで材料内の任意の場所に銀ナノ細線配線を構築できた。 ２．新奇有機光電子半導体...

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Digital

Material Type
文書・図像類
Title
レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発
Author/Editor
堤, 直人
堀田, 収
吉本, 昌広
Author Heading
堤, 直人
堀田, 収
吉本, 昌広
Publication Date
2009-03
Publication Date (W3CDTF)
2009-03
Text Language Code
jpn
Subject Heading
レーザー誘起周期表面構造,キラル構造,円Bragg反射,フェムト秒レーザー誘起ナノ細線配線,銀イオンの還元,２光子吸収励起,（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー
マイクロリングレーザー,光閉じ込め,発光トランジスタ,外部量子効率,交流ゲート電圧印加法
半導体半金属混晶,発光波長温度無依存,分子線エピタキシー,ビスマス,Ⅲ-Ⅴ族半導体
ホトルミネセンス,レーザダイオード
Laser induced periodic surface structure,Chiral structure,Circular Bragg reflection,Femto laser induced nanometer scale silver wire,Reduction of silver ion,Two photon excitation,thiophene/phenylene co-oligomers
microring laser,optical confinement,Light-emitting field-effect transistor,external quantum efficiency,alternating-current gate voltage,semiconductor-semimetal alloy
temperature-insensitive bandgap,temperature-insensitive wavelength laser,molecular beam epitaxy,bismuth,III-V semiconductor,Photoluminescence,laser diode
Target Audience
一般
Note (General)
type:Article
１．ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築：キラル構造をもたないアモルファス材料に円偏光照射により高度なキラリティーをもつへリックス構造を誘起できた。２光子励起を用いることで材料内の任意の場所に銀ナノ細線配線を構築できた。 ２．新奇有機光電子半導体材料：（チオフェン/フェニレン）コオリゴマー（II）：TPCOは安定かつ、発光デバイスの素材として高いパフォーマンスをもつ有機半導体であることを示した。 ３．分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs多重量子井戸構造の製作：Bi原子は、III-V族半導体の成長の際にサーファクタントとして用いられており、GaAs1-xBix/GaAs MQW構造を、分子線エピタキシー法を用いて成長温度350℃から400℃の範囲でGaAs(001)基板上に製作できることを明確にした。GaAs0.891Bi0.109/ GaAs MQW構造からは、通信用波長帯1.3 μmにおけるPL発光を室温において観測した。
identifier:平成２０年度教育研究推進事業成果報告書