低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
• 著者・編者: 鈴木, 朝実良
• 著者標目: 鈴木, 朝実良
• 出版年月日等: 2018-03-26
• 出版年（W3CDTF）: 2018-03-26
• 並列タイトル等: Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
• 授与機関名: 京都工芸繊維大学
• 授与年月日: 2018-03-26
• 報告番号: 甲第873号
• 学位: 博士（工学）
• 本文の言語コード: jpn
• 著者別名: SUZUKI, Asamira
• 件名標目: パワーエレクトロニクス; スイッチング; GaN; ヘテロ接合; 電界効果トランジスタ; エンハンスメントモード; オン抵抗; コンタクト抵抗; キャリア濃度; NiO; 微細構造ゲート
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: 全文 （fulltext）; https://kit.repo.nii.ac.jp/record/2000300/files/D1-0873_h1.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 京都工芸繊維大学 : ＫＩＴ学術成果コレクション

• 要約等: 本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実現するためにゲート長ならびに素子寸法の微細化によるゲート容量の低減とオン抵抗の低減、さらにはコンタクト抵抗の低減による更なる...