低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
• 著者・編者: 鈴木, 朝実良
• 著者標目: 鈴木, 朝実良
• 出版年月日等: 2018-03-26
• 出版年（W3CDTF）: 2018-03-26
• 並列タイトル等: Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
• 授与機関名: 京都工芸繊維大学
• 授与年月日: 2018-03-26
• 報告番号: 甲第873号
• 学位: 博士（工学）
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: パワーエレクトロニクス; スイッチング; GaN; ヘテロ接合; 電界効果トランジスタ; エンハンスメントモード; オン抵抗; コンタクト抵抗; キャリア濃度; NiO; 微細構造ゲート
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:Thesis; 本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実現するためにゲート長ならびに素子寸法の微細化によるゲート容量の低減とオン抵抗の低減、さらにはコンタクト抵抗の低減による更なるオン抵抗低減を実現する方法と手段について検討し、その結果を述べた。
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 京都工芸繊維大学 : ＫＩＴ学術成果コレクション

目次

http://repository.lib.kit.ac.jp/repo/repository/10212/2468/D1-0873_h1.pdf fulltext

http://repository.lib.kit.ac.jp/repo/repository/10212/2468/D1-0873.pdf fulltext