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博士論文

低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究

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低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究

Material type
博士論文
Author
鈴木, 朝実良
Publisher
-
Publication date
2018-03-26
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
京都工芸繊維大学,博士（工学）
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Note (General)：

type:Thesis本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実現するためにゲート長ならびに素子寸法の微細化によるゲート容量の低減とオン抵抗の低減、さらにはコンタクト...

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Digital

Material Type
博士論文
Title
低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
Author/Editor
鈴木, 朝実良
Author Heading
鈴木, 朝実良
Publication Date
2018-03-26
Publication Date (W3CDTF)
2018-03-26
Alternative Title
Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
Degree grantor/type
京都工芸繊維大学
Date Granted
2018-03-26
Dissertation Number
甲第873号