シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御

資料種別: 文書・図像類

著者: 植松, 真司ほか

出版者: -

出版年: 2008

資料形態: デジタル

ページ数・大きさ等: -

NDC: -

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資料に関する注記

一般注記：: type:textシリコンナノ構造の酸化において、酸化膜に窒素を添加することにより、酸化形状の制御、および、酸化誘起歪・応力を変調できることを明らかにした。酸化膜への窒素添加の効果を原子レベル理論計算、マクロレベルシミュレーション計算で予測し、ナノ構造酸窒化実験を行った。窒素をシリコン・酸化膜界面へ...

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 文書・図像類
タイトル: シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御
著者・編者: 植松, 真司
影島, 博之
渡邉, 孝信
白石, 賢二
伊藤, 公平
秋山, 亨
著者標目: 植松, 真司
影島, 博之
渡邉, 孝信
白石, 賢二
伊藤, 公平
秋山, 亨
出版年月日等: 2008
出版年（W3CDTF）: 2008
並列タイトル等: シリコンナノコウゾウサンカノチッソテンカニヨルセイギョ
shirikon nano kozo sanka no chisso tenka ni yoru seigyo
Control of Silicon Nanostructure Oxidation by Nitrogen Doping
タイトル（掲載誌）: 科学研究費補助金研究成果報告書
本文の言語コード: jpn
件名標目: 表面・界面物性,マイクロ・ナノデバイス,計算物理,シリコン酸窒化,自己拡散
対象利用者: 一般
一般注記: type:text
シリコンナノ構造の酸化において、酸化膜に窒素を添加することにより、酸化形状の制御、および、酸化誘起歪・応力を変調できることを明らかにした。酸化膜への窒素添加の効果を原子レベル理論計算、マクロレベルシミュレーション計算で予測し、ナノ構造酸窒化実験を行った。窒素をシリコン・酸化膜界面へ局所的に導入することにより酸化膜の粘性が増加し、シリコン内部に生じる歪・応力が大きくなることを明らかにした。これにより窒素添加が単電子トランジスタの室温動作実現に有効であることを示した。
研究種目：基盤研究(B) 研究期間：2006～2008 課題番号：18360027 研究分野：工学科研費の分科・細目：応用物理学・工学基礎、薄膜・表面界面物性
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
関連情報: 科研費研究者番号：60393758
科研費研究者番号：70374072
科研費研究者番号：00367153
科研費研究者番号：20334039
科研費研究者番号：30276414
科研費研究者番号：40362363
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 慶應義塾大学 : 慶應義塾大学学術情報リポジトリ