並列タイトル等タンソ キョウチュウニュウ ニ ヨル シリコンチュウ ノ カクサン フカサ セイギョ
Tanso kyochunyu ni yoru shirikonchu no kakusan fukasa seigyo
Diffusion control in silicon by co-implanted carbon
一般注記type:text
シリコン安定同位体を用いて, シリコン中のシリコン原子の動きを直接観測することで, 共注入した炭素が, どのようにドーパント拡散を抑制しているかを調べた。結晶シリコン中では, 炭素イオン注入によってシリコン格子間原子が過剰になっているにも関わらず, 炭素共注入により不働態化したホウ素が増加するために, ホウ素拡散が抑制されることを明らかにした。一方, ゲルマニウム注入により試料をアモルファス化した場合には, 炭素原子がシリコン格子位置を占め, シリコン格子間原子を捕獲するために, 不純物拡散が抑制されていることを示した。この結果から, 炭素共注入におけるドーパント拡散抑制のモデルを構築することができた。
Diffusion of self-atoms and co-implanted carbon (C) and boron (B) in silicon (Si) has been simultaneously observed using Si isotope heterostructures to directly observe the behavior of Si self-interstitials (I's) in Si. The experimental results showed that Si self-diffusion was enhanced, that is, the I is more severely supersaturated, nevertheless B diffusion is retarded due to the increase of the amount of immobile B by the presence of C. On the other hand, when the sample is preamorphized by ion implantation, C atoms become substitutional to trap excess I, and therefore, dopant diffusion is retarded. These results lead to a simulation model to correctly predict the retardation of dopant diffusion by co-implanted C.
研究種目 : 基盤研究(C)
研究期間 : 2012～2014
課題番号 : 24560413
研究分野 : 電子材料物性
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）