炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御

Material type: 文書・図像類

Author: 植松, 真司

Publisher: -

Publication date: 2014

Material Format: Digital

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Note (General)：: type:textシリコン安定同位体を用いて, シリコン中のシリコン原子の動きを直接観測することで, 共注入した炭素が, どのようにドーパント拡散を抑制しているかを調べた。結晶シリコン中では, 炭素イオン注入によってシリコン格子間原子が過剰になっているにも関わらず, 炭素共注入により不働態化したホウ...

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科研費研究者番号 : 60393758

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Material Type: 文書・図像類
Title: 炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御
Author/Editor: 植松, 真司
Author Heading: 植松, 真司
Publication Date: 2014
Publication Date (W3CDTF): 2014
Alternative Title: タンソキョウチュウニュウニヨルシリコンチュウノカクサンフカサセイギョ
Tanso kyochunyu ni yoru shirikonchu no kakusan fukasa seigyo
Diffusion control in silicon by co-implanted carbon
Periodical title: 科学研究費補助金研究成果報告書
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: シリコン,不純物,拡散,ホウ素,炭素,イオン注入,安定同位体,シミュレーション
Target Audience: 一般
Note (General): type:text
シリコン安定同位体を用いて, シリコン中のシリコン原子の動きを直接観測することで, 共注入した炭素が, どのようにドーパント拡散を抑制しているかを調べた。結晶シリコン中では, 炭素イオン注入によってシリコン格子間原子が過剰になっているにも関わらず, 炭素共注入により不働態化したホウ素が増加するために, ホウ素拡散が抑制されることを明らかにした。一方, ゲルマニウム注入により試料をアモルファス化した場合には, 炭素原子がシリコン格子位置を占め, シリコン格子間原子を捕獲するために, 不純物拡散が抑制されていることを示した。この結果から, 炭素共注入におけるドーパント拡散抑制のモデルを構築することができた。 Diffusion of self-atoms and co-implanted carbon (C) and boron (B) in silicon (Si) has been simultaneously observed using Si isotope heterostructures to directly observe the behavior of Si self-interstitials (I's) in Si. The experimental results showed that Si self-diffusion was enhanced, that is, the I is more severely supersaturated, nevertheless B diffusion is retarded due to the increase of the amount of immobile B by the presence of C. On the other hand, when the sample is preamorphized by ion implantation, C atoms become substitutional to trap excess I, and therefore, dopant diffusion is retarded. These results lead to a simulation model to correctly predict the retardation of dopant diffusion by co-implanted C.
研究種目 : 基盤研究(C) 研究期間 : 2012～2014 課題番号 : 24560413 研究分野 : 電子材料物性
Source: https://koara.lib.keio.ac.jp/xoonips/modules/xoonips/download.php?koara_id=KAKEN_24560413seika
https://koara.lib.keio.ac.jp/xoonips/modules/xoonips/download.php?koara_id=KAKEN_24560413seika
Access Restrictions: 限定公開
Related Material: 科研費研究者番号 : 60393758
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 慶應義塾大学 : 慶應義塾大学学術情報リポジトリ