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文書・図像類

炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御

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炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御

Material type
文書・図像類
Author
植松, 真司
Publisher
-
Publication date
2014
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
View All

Notes on use

Note (General):

type:textシリコン安定同位体を用いて, シリコン中のシリコン原子の動きを直接観測することで, 共注入した炭素が, どのようにドーパント拡散を抑制しているかを調べた。結晶シリコン中では, 炭素イオン注入によってシリコン格子間原子が過剰になっているにも関わらず, 炭素共注入により不働態化したホウ...

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科研費研究者番号 : 60393758

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Digital

Material Type
文書・図像類
Author/Editor
植松, 真司
Author Heading
Publication Date
2014
Publication Date (W3CDTF)
2014
Alternative Title
タンソ キョウチュウニュウ ニ ヨル シリコンチュウ ノ カクサン フカサ セイギョ
Tanso kyochunyu ni yoru shirikonchu no kakusan fukasa seigyo
Diffusion control in silicon by co-implanted carbon
Periodical title
科学研究費補助金研究成果報告書
Text Language Code
jpn
eng