多機能金属細線によるナノ電子デバイス温度分布の研究

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 多機能金属細線によるナノ電子デバイス温度分布の研究
• 著者・編者: 高橋, 綱己; 内田, 建
• 著者標目: 高橋, 綱己; 内田, 建
• 出版年月日等: 2016
• 出版年（W3CDTF）: 2016
• 並列タイトル等: タキノウ キンゾク サイセン ニ ヨル ナノデンシ デバイス オンド ブンプ ノ ケンキュウ; Takino kinzoku saisen ni yoru nanodenshi debaisu ondo bunpu no kenkyu; Analysis of temperature distribution in nanoscale electron devices
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費補助金研究成果報告書
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: ナノ電子デバイス,自己加熱効果,アナログ特性,フォノン輸送,ナノワイヤ,SOI MOSFET,FinFET
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:text; ナノスケール半導体電子デバイスにおける, 動作時温度分布の測定・解析および温度上昇が性能に与える影響の評価を行った。その結果, 熱特性の最適化によって次世代立体構造トランジスタの消費電力を性能を低下させることなく低減できることを示した。また, ナノスケールの電子デバイスでは, 従来の熱特性評価手法では温度を正しく見積もれないことをナノワイヤ熱物性の測定から実験的に明らかにした。 In this research, the temperature distributions of operated nanoscale electron devices and the impacts of its temperature increase on device performances were investigated. From electrical and thermal device simulations, a low-power device design strategy for nanoscale 3D transistors was proposed by optimizing thermal characteristics. Furthermore, from experimental evaluations of thermal conductivity of silicon nanowires, it was clarified that conventional thermal evaluation methods might contain some errors in estimations of operation tempeartures in nanoscale semiconductor electron devices.; 研究種目 : 若手研究(B) 研究期間 : 2014～2016 課題番号 : 26870574 研究分野 : 電子デバイス
• 一次資料へのリンクURL: https://koara.lib.keio.ac.jp/xoonips/modules/xoonips/download.php?koara_id=KAKEN_26870574seika
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 関連情報: 科研費研究者番号 : 60724838; 科研費研究者番号 : 30446900
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 慶應義塾大学 : 慶應義塾大学学術情報リポジトリ