多機能金属細線によるナノ電子デバイス温度分布の研究

Material type: 文書・図像類

Author: 高橋, 綱己ほか

Publisher: -

Publication date: 2016

Material Format: Digital

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Note (General)：: type:textナノスケール半導体電子デバイスにおける, 動作時温度分布の測定・解析および温度上昇が性能に与える影響の評価を行った。その結果, 熱特性の最適化によって次世代立体構造トランジスタの消費電力を性能を低下させることなく低減できることを示した。また, ナノスケールの電子デバイスでは, 従来...

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科研費研究者番号 : 60724838

科研費研究者番号 : 30446900

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Material Type: 文書・図像類
Title: 多機能金属細線によるナノ電子デバイス温度分布の研究
Author/Editor: 高橋, 綱己
内田, 建
Author Heading: 高橋, 綱己
内田, 建
Publication Date: 2016
Publication Date (W3CDTF): 2016
Alternative Title: タキノウキンゾクサイセンニヨルナノデンシデバイスオンドブンプノケンキュウ
Takino kinzoku saisen ni yoru nanodenshi debaisu ondo bunpu no kenkyu
Analysis of temperature distribution in nanoscale electron devices
Periodical title: 科学研究費補助金研究成果報告書
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: ナノ電子デバイス,自己加熱効果,アナログ特性,フォノン輸送,ナノワイヤ,SOI MOSFET,FinFET
Target Audience: 一般
Note (General): type:text
ナノスケール半導体電子デバイスにおける, 動作時温度分布の測定・解析および温度上昇が性能に与える影響の評価を行った。その結果, 熱特性の最適化によって次世代立体構造トランジスタの消費電力を性能を低下させることなく低減できることを示した。また, ナノスケールの電子デバイスでは, 従来の熱特性評価手法では温度を正しく見積もれないことをナノワイヤ熱物性の測定から実験的に明らかにした。 In this research, the temperature distributions of operated nanoscale electron devices and the impacts of its temperature increase on device performances were investigated. From electrical and thermal device simulations, a low-power device design strategy for nanoscale 3D transistors was proposed by optimizing thermal characteristics. Furthermore, from experimental evaluations of thermal conductivity of silicon nanowires, it was clarified that conventional thermal evaluation methods might contain some errors in estimations of operation tempeartures in nanoscale semiconductor electron devices.
研究種目 : 若手研究(B) 研究期間 : 2014～2016 課題番号 : 26870574 研究分野 : 電子デバイス
Access Restrictions: 限定公開
Related Material: 科研費研究者番号 : 60724838
科研費研究者番号 : 30446900
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 慶應義塾大学 : 慶應義塾大学学術情報リポジトリ