極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発

資料種別: 文書・図像類

著者: 川江, 健ほか

出版者: -

出版年: 2011-05-20

資料形態: デジタル

ページ数・大きさ等: -

NDC: -

すべて見る

資料に関する注記

一般注記：: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系極限環境動作を目指した新規強誘電体不揮発性メモリデバイスの実現を目指し、ワイドギャップ半導体ダイヤモンド上に高キュリー温度非鉛強誘電体BiFeO3(BFO)を堆積した積層構造の作製と特性評価を行った。ボロン添加した導電性ダイヤモンド層上にBFOが結晶化可能である事お...

書店で探す

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

金沢大学学術情報リポジトリKURA
デジタル
連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
金沢大学学術情報リポジトリKURAのサイトでこの本を確認

書店で探す

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

デジタル

資料種別: 文書・図像類
タイトル: 極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発
著者・編者: 川江, 健
Kawae, Takeshi
著者標目: 川江, 健
Kawae, Takeshi
出版年月日等: 2011-05-20
出版年（W3CDTF）: 2011-05-20
並列タイトル等: Development of advanced ferroelectric random access memory devices in more extensive region
タイトル（掲載誌）: 平成22(2010)年度科学研究費補助金若手研究(B) 研究成果報告書 = 2010 Fiscal Year Final Research Report
巻号年月日等（掲載誌）: 2009-2010
掲載巻: 2009-2010
掲載ページ: 4p.-
本文の言語コード: jpn
件名標目: 強誘電体不揮発性メモリ
非鉛強誘電体
ワイドギャップ半導体
対象利用者: 一般
一般注記: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系
極限環境動作を目指した新規強誘電体不揮発性メモリデバイスの実現を目指し、ワイドギャップ半導体ダイヤモンド上に高キュリー温度非鉛強誘電体BiFeO3(BFO)を堆積した積層構造の作製と特性評価を行った。ボロン添加した導電性ダイヤモンド層上にBFOが結晶化可能である事および良好な強誘電性を示す事が確認された。また、同構造試料の高温特性を検証したところ、最大200℃まで安定的に動作可能である事が確認された。以上の結果より、本研究課題が掲げるBFO/ダイヤモンド積層構造を用いた極限環境動作型強誘電体メモリデバイスの実現に向けて、当該構造の形成プロセスの確立および今後の展開に対する有用性が立証されたものと言える。
As an integration of Pb-free ferroelectrics with wide-gap semiconductors, (Pr, Mn)-codoped BiFeO_3 (BPFM)/B-doped diamond layered structure was fabricated on a diamond substrate. B-doped diamond films were homoepitaxially grown on diamond substrate using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition. Then, BPFM thin films were deposited on the B-doped diamond layer by pulsed laser deposition. BPFM thin films were polycrystalline with random orientations on the B-doped diamond layer. Fabricated heterostructure showed saturated P-E hysteresis curves with 2P_r : 90℃/cm^2 and 2E_c : 740kV/cm for maximum electric field of 900kV/cm at room temperature. P-E hysteresis curves without influences of leakage current were observed even when the measurement temperature was increased to 200 ℃.
研究課題/領域番号:21760233, 研究期間(年度):2009-2010
出典：研究課題「極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発」課題番号21760233（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-21760233/21760233seika/）を加工して作成
DOI: 10.24517/00052184
一次資料へのリンクURL: https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=45850&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=45850&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
著作権情報: CC BY-NC-ND
関連情報: https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=30401897
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760233/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-21760233/21760233seika/
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA