インチスケールダイヤモンドウェハ開発のための基盤研究

資料種別: 文書・図像類

著者: 德田, 規夫ほか

出版者: -

出版年: 2017-05-09

資料形態: デジタル

ページ数・大きさ等: -

NDC: -

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資料に関する注記

一般注記：: 金沢大学ナノマテリアル研究所本研究は、超省エネ化に資する次世代ダイヤモンドパワーデバイス実現のために必要なダイヤモンドウェハの大面積（２インチ以上）・低コスト化に関する基盤技術の開発を目的とした。その結果、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長用基板としてNiの有効性を示した。具体的には、多結晶Ni基...

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 文書・図像類
タイトル: インチスケールダイヤモンドウェハ開発のための基盤研究
著者・編者: 德田, 規夫
Tokuda, Norio
著者標目: 德田, 規夫
Tokuda, Norio
出版年月日等: 2017-05-09
出版年（W3CDTF）: 2017-05-09
並列タイトル等: Basic study for development of inch-scale diamond wafers
タイトル（掲載誌）: 平成28(2016)年度科学研究費補助金挑戦的萌芽研究研究成果報告書 = 2016 Fiscal Year Final Research Report
巻号年月日等（掲載誌）: 2014-04-01 - 2017-03-31
掲載巻: 2014-04-01 - 2017-03-31
掲載ページ: 5p.-
本文の言語コード: jpn
件名標目: ダイヤモンド
結晶成長
対象利用者: 一般
一般注記: 金沢大学ナノマテリアル研究所
本研究は、超省エネ化に資する次世代ダイヤモンドパワーデバイス実現のために必要なダイヤモンドウェハの大面積（２インチ以上）・低コスト化に関する基盤技術の開発を目的とした。その結果、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長用基板としてNiの有効性を示した。具体的には、多結晶Ni基板上に多結晶ダイヤモンド膜を成長することに成功し、かつダイヤモンド/Ni界面に析出したグラファイトにより、そのダイヤモンド膜は自然剥離により自立化可能であることを示した。
The purpose of this study has been to develop the fundamental technologies about a large-area and low-cost fabrication of diamond wafers for the realization of next-generation diamond power devises. We report that freestanding diamond films were fabricated by a new self-separation method. Thick poly-crystalline diamond films were grown on poly-crystalline Ni substrates by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition after the substrates were saturated with carbon via a saturation process using a carbon solid solution. This saturation process suppressed the erosion of diamond nuclei on the Ni substrates. During the cooling process after diamond growth, the carbon atoms dissolved in the Ni substrates became supersaturated and precipitated as graphite interlayers at the diamond films/Ni interfaces. The graphite interlayers caused the thick diamond films to spontaneously separate from the Ni substrates without cracking, allowing the Ni substrates to be reused.
研究課題/領域番号:26600096, 研究期間(年度):2014-04-01 - 2017-03-31
DOI: 10.24517/00052821
一次資料へのリンクURL: https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=46489&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=46489&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
著作権情報: CC BY-NC-ND
関連情報: https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=80462860
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26600096/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-26600096/26600096seika/
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA