並列タイトル等Atomic force spectroscopy of chemical bonding process with bias voltage tuning between a tip and a sample
タイトル(掲載誌)平成23(2011)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究成果報告書 = 2011 Fiscal Year Final Research Report
一般注記金沢大学理工研究域数物科学系
本研究は、独自開発した電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法(Biasnc-AFM/S)を発展させ、試料表面上の原子と探針先端原子との間の結合形成の過程・電子状態の変化を明らかにすることを目的とした。このために高感度力センサーの開発、電子回路の高感度化により探針試料間相互作用力、電流、エネルギー散逸の高感度同時計測を実現した。シリコン-シリコン原子間の共有結合力は、局所電子状態密度に強く依存していることを明らかにした。
The purpose of this study was to reveal the formation process of bonding state between an atom of a sample surface and an atom at the tip apex of atomic force microscopy(AFM) using our developing bias-voltage non-contact atomic force microscopy/spectroscopy(bias nc-AFM/S). Towards this purpose we developed a force sensor with a high sensitivity, improved our electronic control system for the bias nc-AFM/S, and performed simultaneous measurements with high sensitivities of force, electric current and energy dissipation between the sample and the nc-AFM tip. Through this study we concluded that the covalent bond formation between a Si atom and a Si atom strongly depends on their local electronic density of states(LDOS).
研究課題/領域番号:20310058, 研究期間(年度):2008-2011
出典:研究課題「探針-試料間電圧印加チューニングによる結合形成過程の原子分解能・顕微分光解析」課題番号20310058(KAKEN:科学研究費助成事業データベース(国立情報学研究所)) (https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-20310058/20310058seika/)を加工して作成
一次資料へのリンクURLhttps://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=46559&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
関連情報https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=20250235
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20310058/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-20310058/20310058seika/
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