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規格・テクニカルリポート類

低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET

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低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET

資料種別
規格・テクニカルリポート類
著者
德田, 規夫ほか
出版者
-
出版年
2020-05-12
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記：

出版タイプ： AM金沢大学ナノマテリアル研究所ダイヤモンドは、様々な分野で用いられているパワーデバイスとして最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究で得られた主な成果は、①縦型ダイヤモンドMOSFET構造作製のための、炭素固溶反応を用いたV字及びU字トレンチ構造形成プロセスの開発、...

関連資料・改題前後資料

https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=80462860

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H02786/

https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H02786/17H02786seika/

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書誌情報

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デジタル

資料種別
規格・テクニカルリポート類
タイトル
低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET
著者・編者
德田, 規夫
Tokuda, Norio
著者標目
德田, 規夫
Tokuda, Norio
出版年月日等
2020-05-12
出版年（W3CDTF）
2020
並列タイトル等
Low-loss vertical-type diamond power MOSFET
タイトル（掲載誌）
令和1(2019)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究成果報告書 = 2019 Fiscal Year Final Research Report
巻号年月日等（掲載誌）
2017-04-01 - 2020-03-31
掲載巻
2017-04-01 - 2020-03-31