低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET

Material type: 文書・図像類

Author: 德田, 規夫ほか

Publisher: -

Publication date: 2020-05-12

Material Format: Digital

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NDC: -

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Note (General)：: 金沢大学ナノマテリアル研究所ダイヤモンドは、様々な分野で用いられているパワーデバイスとして最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究で得られた主な成果は、①縦型ダイヤモンドMOSFET構造作製のための、炭素固溶反応を用いたV字及びU字トレンチ構造形成プロセスの開発、②低チャネル移動度...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET
Author/Editor: 德田, 規夫
Tokuda, Norio
Author Heading: 德田, 規夫
Tokuda, Norio
Publication Date: 2020-05-12
Publication Date (W3CDTF): 2020-05-12
Alternative Title: Low-loss vertical-type diamond power MOSFET
Periodical title: 令和1(2019)年度科学研究費補助金基盤研究(B) 研究成果報告書 = 2019 Fiscal Year Final Research Report
No. or year of volume/issue: 2017-04-01 - 2020-03-31
Volume: 2017-04-01 - 2020-03-31
Pages: 14p.-
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 表面・界面物性
ダイヤモンド
Thin film
Surface and interfacial physical properties
Target Audience: 一般
Note (General): 金沢大学ナノマテリアル研究所
ダイヤモンドは、様々な分野で用いられているパワーデバイスとして最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究で得られた主な成果は、①縦型ダイヤモンドMOSFET構造作製のための、炭素固溶反応を用いたV字及びU字トレンチ構造形成プロセスの開発、②低チャネル移動度の原因となっているAl2O3/ダイヤモンド界面における界面準位密度の定量評価、③界面準密度の低減プロセスの開発である
Diamond is a semiconductor material expected to realize the highest energy-saving effect as a power device used in various fields. In this study, we obtained the following three results: (1) development of V-shaped and U-shaped trench structure formation process using solid solution reaction of carbon for fabrication of vertical diamond MOSFET structure, (2) a quantitative evaluation of interface state density at Al2O3/diamond interfaces which cause low channel mobility in diamond MOSFETs, (3) development of a reduction process of the interface state density.
研究課題/領域番号:17H02786, 研究期間(年度):2017-04-01 - 2020-03-31
出典：「低損失縦型ダイヤモンドパワーMOSFET」研究成果報告書　課題番号17H02786（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H02786/17H02786seika/)を加工して作成
DOI: 10.24517/00057871
Source: https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=51568&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=51568&item_no=1&attribute_id=26&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Rights (production): CC BY-NC-ND
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https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H02786/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H02786/17H02786seika/
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 金沢大学 : 金沢大学学術情報リポジトリKURA