15keVから500keVまでの鉛遮蔽材におけるビーム状斜入射光子再生効果

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 15keVから500keVまでの鉛遮蔽材におけるビーム状斜入射光子再生効果
• 著者・編者: 浅野 芳裕; 杉田 武志
• 著者標目: 浅野 芳裕; 杉田 武志
• 出版年月日等: 1996-01
• 出版年（W3CDTF）: 1996-01
• 並列タイトル等: Build-up effect on obliquely incident pencil beam photon from 15 to 500keV into lead shield
• タイトル（掲載誌）: JAERI-Research 96-001
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: ペンシルビーム状で、かつ斜入射の場合、および等方放射の場合の再生効果を鉛遮蔽について、モンテカルロ電磁力カスケードコードEGS4で計算し、グラフおよび表にまとめた。また、垂直一様入射の場合の再生係数を表わすのに使用されるGP法と比較し、入射角度が小さい場合は5mfPの範囲内で、それ以外では、10mfPの範囲内で良い一致をみた。検出器のサイズが再生効果に及ぼす影響についても検討した。これらの結果、放射光遮蔽計算で有効である点減衰核法にGP法で得られる再生係数を用いても良いことを確認した。
• 一次資料へのリンクURL: /JAERI-Research-96-001.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Research-96-001.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• 要約等: ペンシルビーム状で、かつ斜入射の場合、および等方放射の場合の再生効果を鉛遮蔽について、モンテカルロ電磁力カスケードコードEGS4で計算し、グラフおよび表にまとめた。また、垂直一様入射の場合の再生係数を表わすのに使用されるGP法と比較し、入射角度が小さい場合は5mfPの範囲内で、それ以外では、10mf...