15keVから500keVまでの鉛遮蔽材におけるビーム状斜入射光子再生効果

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 15keVから500keVまでの鉛遮蔽材におけるビーム状斜入射光子再生効果
• Author/Editor: 浅野 芳裕; 杉田 武志
• Author Heading: 浅野 芳裕; 杉田 武志
• Publication Date: 1996-01
• Publication Date (W3CDTF): 1996-01
• Alternative Title: Build-up effect on obliquely incident pencil beam photon from 15 to 500keV into lead shield
• Periodical title: JAERI-Research 96-001
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): ペンシルビーム状で、かつ斜入射の場合、および等方放射の場合の再生効果を鉛遮蔽について、モンテカルロ電磁力カスケードコードEGS4で計算し、グラフおよび表にまとめた。また、垂直一様入射の場合の再生係数を表わすのに使用されるGP法と比較し、入射角度が小さい場合は5mfPの範囲内で、それ以外では、10mfPの範囲内で良い一致をみた。検出器のサイズが再生効果に及ぼす影響についても検討した。これらの結果、放射光遮蔽計算で有効である点減衰核法にGP法で得られる再生係数を用いても良いことを確認した。
• Source: /JAERI-Research-96-001.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Research-96-001.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: ペンシルビーム状で、かつ斜入射の場合、および等方放射の場合の再生効果を鉛遮蔽について、モンテカルロ電磁力カスケードコードEGS4で計算し、グラフおよび表にまとめた。また、垂直一様入射の場合の再生係数を表わすのに使用されるGP法と比較し、入射角度が小さい場合は5mfPの範囲内で、それ以外では、10mf...