Growth of In(0.1)Ga(0.9)As single crystal plates and fabrication of In(x)Ga(1-x)As/In(0.1)Ga(0.9)As-Starained Quantum Wells (SQW)

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Growth of In(0.1)Ga(0.9)As single crystal plates and fabrication of In(x)Ga(1-x)As/In(0.1)Ga(0.9)As-Starained Quantum Wells (SQW)
• 著者・編者: 鶴, 哲也; 宮田, 浩旭; 村松, 祐治; 緒方, 康行; 木下, 恭一; 足立, 聡; 依田, 眞一; 荒井, 昌和; 渡辺, 孝夫; 近藤, 康洋; Tsuru, Tetsuya; Miyata, Hiroaki; Muramatsu, Yuji; Ogata, Yasuyuki; Kinoshita, Kyoichi; Adachi, Satoshi; Yoda, Shinichi; Arai, Masakazu; Watanabe, Takao; Kondo, Yasuhiro
• 著者標目: 鶴, 哲也; 宮田, 浩旭; 村松, 祐治; 緒方, 康行; 木下, 恭一; 足立, 聡; 依田, 眞一; 荒井, 昌和; 渡辺, 孝夫; 近藤, 康洋; Tsuru, Tetsuya; Miyata, Hiroaki; Muramatsu, Yuji; Ogata, Yasuyuki; Kinoshita, Kyoichi; Adachi, Satoshi; Yoda, Shinichi; Arai, Masakazu; Watanabe, Takao; Kondo, Yasuhiro
• 出版事項: 宇宙航空研究開発機構
• 出版年月日等: 2006-03-31
• 出版年（W3CDTF）: 2006-03-31
• タイトル（掲載誌）: 宇宙航空研究開発機構特別資料 = JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals
• 巻号年月日等（掲載誌）: JAXA-SP-05-036E
• 掲載巻: JAXA-SP-05-036E
• 掲載ページ: 1-6
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1349-113X
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: InGaAs; 単結晶; 飽和溶融帯移動法; 光通信; フォトルミネッセンス; 気相エピタキシー; 結晶成長; 光ファイバ; single crystal; traveling liquidus zone method; optical communication; photoluminescence; vapor phase epitaxy; crystal growth; optical fiber
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: We grew compositionally homogeneous platy single crystals of In(0.1)Ga(0.9)As composition by the Traveling Liquidus Zone (TLZ) method. We also fabricated In(x)Ga(1-x)As-SQWs on the In(0.1)Ga(0.9)As substrate by the Metal Organic Vapor Epitaxy (MOVPE) method. In the photoluminescence (PL) measurement, we observed emission at 1.3 micrometer from the In(0.5)Ga(0.5)As/In(0.1)Ga(0.9)As-SQW.; 資料番号: AA0049798001; レポート番号: JAXA-SP-05-036E
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 掲載誌（NCID）: AA11984031; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11984031
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ