本文に飛ぶ
文書・図像類

SiCパワーMOSの放射線耐性 重イオン照射試験・劣化メカニズム

文書・図像類を表すアイコン

SiCパワーMOSの放射線耐性 重イオン照射試験・劣化メカニズム

資料種別
文書・図像類
著者
牧野, 高紘ほか
出版者
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)
出版年
2015-07
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

出版タイプ: NA第25回高温エレクトロニクス研究会(2015年3月17日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 (JAXA)(ISAS)), 相模原市, 神奈川県25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS (March 1...

書店で探す

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • 宇宙航空研究開発機構リポジトリ

    連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
文書・図像類
著者・編者
牧野, 高紘
Makino, Takahiro
出版年月日等
2015-07
出版年(W3CDTF)
2015-07
並列タイトル等
Radiation tolerance of SiC power MOSFETS radiation tests and mechanisms
タイトル(掲載誌)
第25回高温エレクトロニクス研究会 = Proceedings of the 25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS
掲載ページ
41-50