SiCパワーMOSの放射線耐性重イオン照射試験・劣化メカニズム

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Note (General)：: 出版タイプ： NA第25回高温エレクトロニクス研究会（2015年3月17日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 (JAXA)(ISAS)）, 相模原市, 神奈川県25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS (March 1...

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Material Type: 文書・図像類
Title: SiCパワーMOSの放射線耐性重イオン照射試験・劣化メカニズム
Author/Editor: 牧野, 高紘
Makino, Takahiro
Author Heading: 牧野, 高紘
Makino, Takahiro
Publication, Distribution, etc.: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)
Publication Date: 2015-07
Publication Date (W3CDTF): 2015-07
Alternative Title: Radiation tolerance of SiC power MOSFETS radiation tests and mechanisms
Periodical title: 第25回高温エレクトロニクス研究会 = Proceedings of the 25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS
Pages: 41-50
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 出版タイプ： NA
第25回高温エレクトロニクス研究会（2015年3月17日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 (JAXA)(ISAS)）, 相模原市, 神奈川県
25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS (March 17, 2015. Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)), Sagamihara, Kanagawa Japan
資料番号: SA6000104005
Periodical Title (NCID): AA11987120
https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11987120
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ