並列タイトル等Multi-componentゾーンメルティング法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の育成
タイトル（掲載誌）宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
一般注記出版タイプ： NA
最近、多成分域溶融法を用いたIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の調整を、宇宙実験用として進めている。これまでに、28mm長さの単結晶In(x)Ga(1-x)Asの3元バルク結晶をGaAs種結晶の上に成長させてきた。垂直勾配冷凍法におけるのと同様に、成長する結晶のInAs組成は、初期成長界面において0.04から徐々に0.33まで成長温度の低下とともに増加した。その後、結晶がさらに4mmの長さを成長する間、試料を成長速度にほぼ等しい速度で動かすことによって、この部分のInAs組成を0.34±0.1に維持することができた。宇宙実験のための種結晶に必要な長さは20mmである。したがって、均質な部分の長さをさらに増加させる必要がある。
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method is currently under way for space experiments. A 28 mm long single crystalline In(x)Ga(1-x)As ternary bulk crystal has been grown on GaAs seed crystal so far. The InAs composition of the grown crystal was gradually increased from 0.04 at the initial growth interface to 0.33 by decreasing the growth temperature, as in the vertical gradient freeze method. Then the composition was maintained at 0.34 +/- 0.1 during the growth of 4 mm in length by moving the sample at a rate nearly equal to the growth rate. The required length of seed crystals for space experiments in 20 mm. So the length of the homogeneous region has to be increased.
資料番号: AA0002208008
レポート番号: NASDA-TMR-990006E
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
提供元機関・データベース宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ