Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
• 著者・編者: 宇宙開発事業団; Natl. Space Development Agency of Japan
• 著者標目: 宇宙開発事業団; Natl. Space Development Agency of Japan
• 出版事項: 宇宙開発事業団
• 出版年月日等: 2000-09-29
• 出版年（W3CDTF）: 2000-09-29
• 並列タイトル等: 宇宙開発事業団(NASDA)宇宙利用研究計画1999半導体チーム年次報告:一様結晶の半導体合金(InGaAs)成長の成長関連特性に対する微小重力環境の影響
• タイトル（掲載誌）: NASDA Technical Memorandum
• 掲載ページ: 1-86
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1345-7888
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: In(0.3)Ga(0.7)As; 単結晶; 微小重力; グレーデッド溶質濃縮法; 部分溶融法; 濃度勾配部分溶融法; スペースシャトル; 国際宇宙ステーション; In(x)Ga(1-x)As; 固液反応; 多成分ゾーン溶融法; 混合結晶; InAs-GaAs; バイナリ半導体; gジッタ; single crystal; microgravity; graded solute concentration method; partial melting method; concentration gradient partial melting method; Space Shuttle; International Space Station; In(x)Ga(1 minus x)As; solid liquid reaction; multi component zone melting method; mixed crystal; InAs GaAs; binary semiconductor; g jitter
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 以下の主題について議論した。グレーデッド溶質濃縮法による均質なIn(0.3)Ga(0.7)As結晶の成長、濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用、微小重力条件での2成分系半導体の結晶成長、InAs-GaAs相互拡散の測定、レーザフラッシュ法による溶融InGaAsの熱拡散率、InAs濃度勾配のあるInGaAs出発物質、多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備、数値解析の信頼性試験、ラマン散乱を使ったIn(x)Ga(1-x)As多結晶の解析など。; The following topics were discussed: homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method, concentration gradient partial melting method and application to In(x)Ga(1-x)As, crystal growth of an InAs-GaAs binary semiconductor under microgravity condition, InAs-GaAs interdiffusion measurements, thermal diffusivity of molten InGaAs by the laser flash method, InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration, In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, reliability investigation on numerical analysis, analysis of polycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering, etc.; 資料番号: AA0029300000; レポート番号: NASDA-TMR-000007E
• 一次資料へのリンクURL: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=41993&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ