並列タイトル等多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備 2
タイトル(掲載誌)NASDA Technical Memorandum
一般注記多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実験のために現在行われている。GaAsの種結晶と供給結晶に挟まれたInAs結晶の資料で、成長するIn(x)Ga(1-x)As結晶のx値を0.03から0.3まで増加させ、数ミリに成長するまで、0.3を維持した。今年になって、In(0.3)Ga(0.7)As単結晶の長さを4mmから6mmに伸ばすことができ、In(0.3)Ga(0.7)As層でのx値のばらつきも±0.01から±0.005にまで押さえ込むことができた。また、In(0.3)Ga(0.7)As多結晶の長さは18mmから20mmにまで伸びた。宇宙実験で使われる種結晶に要求される長さは20mmであるため、In(0.3)Ga(0.7)As単結晶の長さをさらに伸ばす必要があった。
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method is currently under way for space experiments. In a sample configuration with an InAs crystal sandwiched between GaAs seed and feed crystals, the x-value of growing In(x)Ga(1-x)As crystal is increased from 0.03 to 0.3 before maintaining at 0.3 for several miilimeters of growth. As this year has progressed, the length of single crystalline In(0.3)Ga(0.7)As has been increased from 4 to 6 mm, the spread of the x value in an In(0.3)Ga(0.7)As layer reduced from +/- 0.01 to +/- 0.005, and the length of polycrystalline In(0.3)Ga(0.7)As increased from 18 to 20 mm. Since the required length of seed crystals in space experiments is 20 mm, the length of the single crystalline In(0.3)Ga(0.7)As has to be increased.
資料番号: AA0029300007
レポート番号: NASDA-TMR-000007E
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ