In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, 2

Material type: 文書・図像類

Author: 児玉, 茂夫ほか

Publisher: 宇宙開発事業団

Publication date: 2000-09-29

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

NDC: -

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Notes on use

Note (General)：: 多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実験のために現在行われている。GaAsの種結晶と供給結晶に挟まれたInAs結晶の資料で、成長するIn(x)Ga(1-x)As結晶のx値を0.03から0.3まで増加させ、数ミリに成長するまで、0.3を維持した。今年になって、I...

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Material Type: 文書・図像類
Title: In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, 2
Author/Editor: 児玉, 茂夫
中村, 哲夫
木下, 恭一
加藤, 浩和
依田, 真一
Kodama, Shigeo.
Nakamura, Tetsuo.
Kinoshita, Kyoichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
Author Heading: 児玉, 茂夫
中村, 哲夫
木下, 恭一
加藤, 浩和
依田, 真一
Kodama, Shigeo.
Nakamura, Tetsuo.
Kinoshita, Kyoichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
Publication, Distribution, etc.: 宇宙開発事業団
Publication Date: 2000-09-29
Publication Date (W3CDTF): 2000-09-29
Alternative Title: 多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備　2
Periodical title: NASDA Technical Memorandum
Pages: 61-64
ISSN (Periodical Title): ISSN : 1345-7888
Text Language Code: eng
Subject Heading: In(0.3)Ga(0.7)As
種結晶
多成分ゾーン溶融法
供給結晶
赤外線レーザダイオード
レーザ振動
Bridgman法
垂直勾配凍結法
宇宙実験
単結晶
多結晶
seed crystal
multicomponent zone melting method
feed crystal
infrared laser diode
laser oscillation
Bridgman method
vertical gradient freeze method
space experiment
single crystal
polycrystal
Target Audience: 一般
Note (General): 多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実験のために現在行われている。GaAsの種結晶と供給結晶に挟まれたInAs結晶の資料で、成長するIn(x)Ga(1-x)As結晶のx値を0.03から0.3まで増加させ、数ミリに成長するまで、0.3を維持した。今年になって、In(0.3)Ga(0.7)As単結晶の長さを4mmから6mmに伸ばすことができ、In(0.3)Ga(0.7)As層でのx値のばらつきも±0.01から±0.005にまで押さえ込むことができた。また、In(0.3)Ga(0.7)As多結晶の長さは18mmから20mmにまで伸びた。宇宙実験で使われる種結晶に要求される長さは20mmであるため、In(0.3)Ga(0.7)As単結晶の長さをさらに伸ばす必要があった。
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method is currently under way for space experiments. In a sample configuration with an InAs crystal sandwiched between GaAs seed and feed crystals, the x-value of growing In(x)Ga(1-x)As crystal is increased from 0.03 to 0.3 before maintaining at 0.3 for several miilimeters of growth. As this year has progressed, the length of single crystalline In(0.3)Ga(0.7)As has been increased from 4 to 6 mm, the spread of the x value in an In(0.3)Ga(0.7)As layer reduced from +/- 0.01 to +/- 0.005, and the length of polycrystalline In(0.3)Ga(0.7)As increased from 18 to 20 mm. Since the required length of seed crystals in space experiments is 20 mm, the length of the single crystalline In(0.3)Ga(0.7)As has to be increased.
資料番号: AA0029300007
レポート番号: NASDA-TMR-000007E
Source: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=42000&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=42000&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
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Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
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Original Data Provider (Database): 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ