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文書・図像類

Preparation of I[lc]nG[lc]aA[lc]s starting materials having the gradient I[lc]nA[lc]s concentration

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Preparation of I[lc]nG[lc]aA[lc]s starting materials having the gradient I[lc]nA[lc]s concentration

資料種別
文書・図像類
著者
弘田, 龍ほか
出版者
宇宙開発事業団
出版年
2001-12-25
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記：

InGaAs starting materials for the crystal growth by the TLZ (Traveling Liquides Zone) method were prepared by the directionally solidification method....

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書誌情報

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デジタル

資料種別
文書・図像類
タイトル
Preparation of I[lc]nG[lc]aA[lc]s starting materials having the gradient I[lc]nA[lc]s concentration
著者・編者
弘田, 龍
龍見, 雅美
花上, 康宏
木下, 恭一
Hirota, Ryu
Tatsumi, Masami
Hanaue, Yasuhiro
Kinoshita, Kyoichi
著者標目
弘田, 龍
龍見, 雅美
花上, 康宏
木下, 恭一
Hirota, Ryu
Tatsumi, Masami
Hanaue, Yasuhiro
Kinoshita, Kyoichi
出版事項
宇宙開発事業団
出版年月日等
2001-12-25
出版年（W3CDTF）
2001-12-25
並列タイトル等
InAsの勾配濃度をもつInGaAs初期物質の調製
タイトル（掲載誌）
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
掲載ページ
51-57