Study of oxygen atom diffusion coefficient in silicon melts

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Study of oxygen atom diffusion coefficient in silicon melts
• 著者・編者: 寺嶋, 一高; 西村, 鈴香; 北村, 大剛; Terashima, Kazutaka; Nishimura, Suzuka; Kitamura, Daigo
• 著者標目: 寺嶋, 一高; 西村, 鈴香; 北村, 大剛; Terashima, Kazutaka; Nishimura, Suzuka; Kitamura, Daigo
• 出版事項: 宇宙開発事業団
• 出版年月日等: 2002-12-27
• 出版年（W3CDTF）: 2002-12-27
• 並列タイトル等: 溶融シリコン中の酸素原子拡散係数の研究
• タイトル（掲載誌）: 宇宙開発事業団技術報告: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Reports 2001 = NASDA Technical Memorandum: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Reports 2001
• 掲載ページ: 143-145
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1345-7888
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: 酸素原子; 拡散係数; シリコン結晶; 窒化ボロン; 石英結晶; 多結晶; 濃度プロフィル; 毛細管技術; 結晶欠陥; oxygen atom; diffusion coefficient; silicon crystal; boron nitride; quartz crystal; polycrystal; concentration profile; capillary technique; crystal defect
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The oxygen diffusion has been studied by using the capillary technique. As the initial stage of quartz dissolution into silicon melts causes an experimental error, the holding time of more than 30 min was needed to analyze the diffusion constant. The analyzed diffusion constant of oxygen atoms in silicon melts is suggested to be 2 x 10(exp -4) cm(sup 2)/s.; 資料番号: AA0045399015; レポート番号: NASDA-TMR-020025E
• 一次資料へのリンクURL: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=42835&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ