Thermophysical properties of I[lc]nG[lc]aA[lc]s

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Thermophysical properties of I[lc]nG[lc]aA[lc]s
• 著者・編者: 松本, 聡; 弓削, 定義; 林, 義雄; 清野, 悠; 伊丹, 俊夫; 木下, 恭一; Matsumoto, Satoshi; Yuge, Sadayoshi; Hayashi, Yoshio; Seino, Yu; Itami, Toshio; Kinoshita, Kyoichi
• 著者標目: 松本, 聡; 弓削, 定義; 林, 義雄; 清野, 悠; 伊丹, 俊夫; 木下, 恭一; Matsumoto, Satoshi; Yuge, Sadayoshi; Hayashi, Yoshio; Seino, Yu; Itami, Toshio; Kinoshita, Kyoichi
• 出版事項: 宇宙開発事業団
• 出版年月日等: 2002-12-27
• 出版年（W3CDTF）: 2002-12-27
• 並列タイトル等: InGaAsの熱物理学的性質
• タイトル（掲載誌）: 宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystals
• 掲載ページ: 55-60
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1345-7888
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: 熱物理学的性質; 粘度; 熱拡散係数; InGaAs; 2重るつぼ法; 温度依存性; 結晶成長; 化学組成; 組成均一性; 半導体材料; オプトエレクトロニクス装置; 温度勾配; thermophysical property; viscosity; thermal diffusivity; double crucible method; temperature dependence; crystal growth; chemical composition; compositional homogeneity; semiconductor material; optoelectronic device; temperature gradient
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The viscosity and thermal diffusivity of In(x)Ga(1-x)As with various compositions has been measured up to 1,500 K. The double crucible method and its availabilities to measure the high vaporizing materials on both measurement could be verified. The thermophysical data of In(x)Ga(1-x)As (x = 0.3, 0.5, and 0.8) could be obtained for the first time. The temperature dependence of viscosity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was expressed as eta(T) = 0.213 exp(1.85 x 10(exp 3)/T) (mPa s) by an oscillating cup method. The thermal diffusivity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was 11 mm(sup 2)/s at 1,313 K and that of solid was 1.8 mm(sup 2)/s at 1,273 K by a laser flush method.; 資料番号: AA0045402004; レポート番号: NASDA-TMR-020024E
• 一次資料へのリンクURL: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=42843&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ