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文書・図像類

Annual report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals

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Annual report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals

資料種別
文書・図像類
著者
宇宙開発事業団ほか
出版者
宇宙開発事業団
出版年
2003-08-29
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記：

資料番号: AA0046981000レポート番号: NASDA-TMR-030006E

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デジタル

資料種別
文書・図像類
タイトル
Annual report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals
著者・編者
宇宙開発事業団
National Space Development Agency of Japan
著者標目
宇宙開発事業団
National Space Development Agency of Japan
出版事項
宇宙開発事業団
出版年月日等
2003-08-29
出版年（W3CDTF）
2003-08-29
並列タイトル等
化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成
年報
Annual Report
タイトル（掲載誌）
宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
ISSN（掲載誌）
ISSN : 1345-7888