ヘルプ
ヘルプ
文書・図像類

Annual report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals

文書・図像類を表すアイコン

Annual report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals

資料種別
文書・図像類
著者
宇宙開発事業団ほか
出版者
宇宙開発事業団
出版年
2003-08-29
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
すべて見る

資料に関する注記

一般注記：

資料番号: AA0046981000レポート番号: NASDA-TMR-030006E

書店で探す

書店で探す

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • 宇宙航空研究開発機構リポジトリ

    デジタル
    連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    宇宙航空研究開発機構リポジトリのサイトで この本を確認

書店で探す

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

デジタル

資料種別
文書・図像類
タイトル
Annual report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs). Growth of homogeneous crystals
著者・編者
宇宙開発事業団
National Space Development Agency of Japan
著者標目
宇宙開発事業団
National Space Development Agency of Japan
出版事項
宇宙開発事業団
出版年月日等
2003-08-29
出版年（W3CDTF）
2003-08-29
並列タイトル等
化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成
年報
Annual Report
タイトル（掲載誌）
宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
ISSN（掲載誌）
ISSN : 1345-7888