ホウ化物薄膜のエピタキシャル成長における表面・界面制御

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: ホウ化物薄膜のエピタキシャル成長における表面・界面制御
• 著者・編者: 高村, 由起子
• 著者標目: 高村, 由起子
• 出版年月日等: 2010-06-17
• 出版年（W3CDTF）: 2010-06-17
• 並列タイトル等: Surface and interface control in the epitaxial growth of boride thin films
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費補助金研究成果報告書
• 掲載ページ: 1-5
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: MBE; エピタキシャル; 走査プローブ顕微鏡; 超薄膜
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 薄膜中への酸素や水分の混入を防ぎ、かつ、成長表面のその場観察が可能な気相成長装置を立ち上げ、高融点かつ高電気伝導性を有する二ホウ化ジルコニウムの薄膜をシリコン、サファイア、窒化ガリウム上にエピタキシャル成長した。成長中の表面再構成構造のその場観察から、基板由来の元素が表面反応に大きく寄与していること、また、基板―ホウ化物結晶の界面構造の安定性が薄膜中の結晶の配向を支配していることが明らかとなった。 : A unique ultrahigh vacuum chemical vapor epitaxy system, which prevents oxygen incorporation into boride films and also has capability of in-situ growth monitoring, was successfully built. The epitaxial growth of zirconium diboride thin films was carried out on silicon, sapphire, and gallium nitride. Surface segregating elements originating from the substrates, which were observed as different surface reconstructions during the growth, were found to be responsible for the reaction at the surface. Single-crystallinity was confirmed for the films grown on sapphire substrates under optimized conditions, driven by a stable interface structure, while the films grown on silicon contained some misoriented crystallites due to competing interfaces.; 研究種目：若手研究（Ａ）; 研究期間：2007～2009; 課題番号：19686043; 研究者番号：90344720; 研究分野：工学; 科研費の分科・細目：材料工学・材料加工・処理; identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/9040
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/9040/1/19686043seika.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ