先端グラフェンNEMS技術を基盤とする革新的熱フォノンエンジニアリング素子の創製

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 先端グラフェンNEMS技術を基盤とする革新的熱フォノンエンジニアリング素子の創製
• 著者・編者: 水田, 博
• 著者標目: 水田, 博
• 出版年月日等: 2018-06-05
• 出版年（W3CDTF）: 2018-06-05
• 並列タイトル等: Revolutionary heat phonon engineering based on advanced graphene NEMS technology
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費助成事業研究成果報告書
• 掲載ページ: 1-6
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: グラフェン; NEMS; フォノン; フォノニック結晶; 超微細加工; ヘリウムイオンビーム
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 原子層材料グラフェンNEMS（ナノ電子機械システム）技術と、ビーム径～0.3 nmの収束He+ビームによってグラフェンを直接ミリング加工するシングルナノメータ加工技術を融合させ、宙吊りにした両持ちグラフェン梁（長さ・幅100 nm～1 ミクロンスケール）上に直径3 ～4 nmのナノ孔の２次元アレイ（グラフェンフォノニック結晶：GPｎC）素子を高速で作製することに成功した。また、GPnC構造におけるフォノニックバンドギャップ形成の様子を大規模有限要素解析と原子スケールフォノン計算によって明らかにした。：By combining graphene-based NEMS (Nano-Electro-Mechanical-System) technology and single-nanometer patterning technology using focused He+ ion beam of ～0.3 nm in diameter, we succeeded to fabricatie two-dimensional array of nanopores of 3 - 4 nm in diameter (graphene phononic crystal: GPnC) devices on doubly-clamped graphene beams of length and width ranging from 100 nm up to 1 micron. We also studied phonic bandgap formation by using large-scale finite element simulation and atom-scale phonon calculations.; 挑戦的萌芽研究; 研究期間：2016～2017; 課題番号：16K13650; 研究者番号：90372458; 研究分野：ナノエレクトロニクス、NEMS; identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/15407
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ