集積グラフェンNEMS複合機能素子によるオートノマス・超高感度センサーの開発

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 集積グラフェンNEMS複合機能素子によるオートノマス・超高感度センサーの開発
• 著者・編者: 水田, 博
• 著者標目: 水田, 博
• 出版年月日等: 2018-06-05
• 出版年（W3CDTF）: 2018-06-05
• 並列タイトル等: Development of graphene NEMS hybrid functional devices for autonomous and ultrasensitive integrated sensors
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費助成事業研究成果報告書
• 掲載ページ: 1-6
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: グラフェン; NEMS; センサ; スイッチ; 単分子検出; ゼプトグラム; サブサーマルスイッチング
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 原子層材料グラフェンを用いたナノ電子機械システム（GNEMS）作製技術と原子スケールシミュレーションを構築し、グラフェン表面上に物理吸着したCO2単分子による電気抵抗変化を室温で高速に検出するGNEMSセンサと、吸着分子による質量変化をゼプトグラム(10E-21 g)レベルで検出するGNEMSセンサの開発に初めて成功した。さらに、従来MEMS技術では困難であった～1 Vの低電圧でのサブサーマルスイッチング（S値～10 mV/dec）と素子微細化を同時に実現する新奇GNEMSスイッチを開発した。：We built graphene nano-electro-mechanical-system (GNEMS) fabrication technology along with atom-scale simulation and succeeded to develop a GNEMS sensor which enables high-speed and room temperature detection of electrical resistance change caused by a single CO2 molecule physisorbed on graphene as well as a GNEMS sensor which detects zeptogram (10E-21 g) level mass change due to molecular adsorption. We also developed a novel GNEMS switch successfully and demonstrated low-voltage (～1 V) sub-thermal switching with the subthreshold slope ～10 mV/dec and downscaling of device dimensions simultaneously, which are hardly achievable with conventional MEMS technology.; 基盤研究(S); 研究期間：2013～2017; 課題番号：25220904; 研究者番号：90372458; 研究分野：ナノエレクトロニクス、NEMS; identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/15412
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/15412/1/25220904seika.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ