100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術

• 資料種別: 規格・テクニカルリポート類
• タイトル: 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
• 著者・編者: 大西, 和博; 土屋, 龍太; 山内, 豪; 大塚, 文雄; 満田, 勝弘; 長谷, 昌俊; 中村, 徹; 川原, 尊之; 尾内, 享裕; OHNISHI, Kazuhiro; TSUCHIYA, Ryuta; YAMAUCHI, Takeshi; OOTSUKA, Fumio; MITSUDA, Katsuhiro; HASE, Masatoshi; NAKAMURA, Tohru; KAWAHARA, Takayuki; ONAI, Takahiro
• 著者標目: OHNISHI, Kazuhiro; TSUCHIYA, Ryuta; YAMAUCHI, Takeshi; OOTSUKA, Fumio; MITSUDA, Katsuhiro; HASE, Masatoshi; NAKAMURA, Tohru; KAWAHARA, Takayuki; ONAI, Takahiro
• 出版事項: 電子情報通信学会
• 出版年月日等: 2002-01-15
• 出版年（W3CDTF）: 2002
• 並列タイトル等: A 50-nm CMOS Technology for High-speed, Low-Power, and RF Applications in 100-nm node SoC Platform
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
• 巻号年月日等（掲載誌）: 573
• 掲載号: 573
• 掲載ページ: 25-30
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 09135685
• 件名標目: CMOS; 低電力; RF; オフセットソース; ドレイン; 超急峻チャネル; 移動度; 1; fノイズ
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; 信学技報 Technical Report of IEICE. SDM2001-216
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: k_R015IEICE04.pdf （fulltext）; https://hosei.ecats-library.jp/da/repository/00005426/k_R015IEICE04.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報（NCID）: AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• 関連情報（NAID）: 110003311143; https://ci.nii.ac.jp/naid/110003311143
• 掲載誌（NCID）: AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 法政大学 : 法政大学学術機関リポジトリ

• 要約等: 100nm世代のSoC(Silicon-on-a-chip)プラットフォームに向けて、高速および低電力/RF用途対応のCMOS技術を開発した。本CMOSデバイスの特徴は、オフセットソース/ドレイン構造と超急峻チャネル(SSC : Super Steep Channel)構造である。オフセットソース/...