100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
• Author/Editor: 大西, 和博; 土屋, 龍太; 山内, 豪; 大塚, 文雄; 満田, 勝弘; 長谷, 昌俊; 中村, 徹; 川原, 尊之; 尾内, 享裕; OHNISHI, Kazuhiro; TSUCHIYA, Ryuta; YAMAUCHI, Takeshi; OOTSUKA, Fumio; MITSUDA, Katsuhiro; HASE, Masatoshi; NAKAMURA, Tohru; KAWAHARA, Takayuki; ONAI, Takahiro
• Author Heading: 大西, 和博; 土屋, 龍太; 山内, 豪; 大塚, 文雄; 満田, 勝弘; 長谷, 昌俊; 中村, 徹; 川原, 尊之; 尾内, 享裕; OHNISHI, Kazuhiro; TSUCHIYA, Ryuta; YAMAUCHI, Takeshi; OOTSUKA, Fumio; MITSUDA, Katsuhiro; HASE, Masatoshi; NAKAMURA, Tohru; KAWAHARA, Takayuki; ONAI, Takahiro
• Publication, Distribution, etc.: 電子情報通信学会
• Publication Date: 2002-01-15
• Publication Date (W3CDTF): 2002-01-15
• Alternative Title: A 50-nm CMOS Technology for High-speed, Low-Power, and RF Applications in 100-nm node SoC Platform
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
• No. or year of volume/issue: 573
• Issue: 573
• Pages: 25-30
• ISSN (Periodical Title): ISSN : 09135685
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: CMOS; 低電力; RF; オフセットソース; ドレイン; 超急峻チャネル; 移動度; 1; fノイズ
• Target Audience: 一般
• Note (General): 信学技報 Technical Report of IEICE. SDM2001-216
• Format (IMT): application/pdf
• Source: k_R015IEICE04.pdf （fulltext）; https://hosei.ecats-library.jp/da/repository/00005426/k_R015IEICE04.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Rights (production): Copyright (C) 2002, IEICE; 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
• Related Material (NCID): AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• Related Material (NAID): 110003311143; https://ci.nii.ac.jp/naid/110003311143
• Periodical Title (NCID): AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 法政大学 : 法政大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 100nm世代のSoC(Silicon-on-a-chip)プラットフォームに向けて、高速および低電力/RF用途対応のCMOS技術を開発した。本CMOSデバイスの特徴は、オフセットソース/ドレイン構造と超急峻チャネル(SSC : Super Steep Channel)構造である。オフセットソース/...