超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
• 著者・編者: 岡, 徹; 平田, 宏治; 大内, 潔; 内山, 博幸; 谷口, 隆文; 望月, 和浩; 中村, 徹; OKA, Tohru; HIRATA, Koji; OUCHI, Kiyoshi; UCHIYAMA, Hiroyuki; TANIGUCHI, Takafumi; MOCHIZUKI, Kazuhiro; NAKAMURA, Tohru
• 著者標目: 岡, 徹; 平田, 宏治; 大内, 潔; 内山, 博幸; 谷口, 隆文; 望月, 和浩; 中村, 徹; OKA, Tohru; HIRATA, Koji; OUCHI, Kiyoshi; UCHIYAMA, Hiroyuki; TANIGUCHI, Takafumi; MOCHIZUKI, Kazuhiro; NAKAMURA, Tohru
• 出版事項: 電子情報通信学会
• 出版年月日等: 1999-01-20
• 出版年（W3CDTF）: 1999-01-20
• 並列タイトル等: Ultra-high-speed Small-scaled InGaP/GaAs HBT's and their Circuit Applications
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
• 巻号年月日等（掲載誌）: 523
• 掲載号: 523
• 掲載ページ: 1-6
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: HBT; InGaP; GaAs; SiO_2; 分周器
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 信学技報 Technical Report of IEICE. ED98-183, MW98-146, ICD98-250
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: k_R015IEICE05.pdf （fulltext）; https://hosei.ecats-library.jp/da/repository/00005427/k_R015IEICE05.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 著作権情報: Copyright (C) 1999, IEICE; 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
• 関連情報（NCID）: AN10013276; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013276
• 関連情報（NAID）: 110003317223; https://ci.nii.ac.jp/naid/110003317223
• 掲載誌（NCID）: AN10013276; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013276
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 法政大学 : 法政大学学術機関リポジトリ

• 要約等: 外部コレクタ寄生領域がSiO_2で埋め込まれた構造を有する微細InGaP/GaAs HBTの高速動作性能を向上させるため, プロセスの改良およびデバイス構造の最適化を行った。埋め込みSiO_2領域で生じる寄生容量は従来比で約50%低減することができ, 単体の素子の性能としては, エミッタサイズS_E...