超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
• Author/Editor: 岡, 徹; 平田, 宏治; 大内, 潔; 内山, 博幸; 谷口, 隆文; 望月, 和浩; 中村, 徹; OKA, Tohru; HIRATA, Koji; OUCHI, Kiyoshi; UCHIYAMA, Hiroyuki; TANIGUCHI, Takafumi; MOCHIZUKI, Kazuhiro; NAKAMURA, Tohru
• Author Heading: 岡, 徹; 平田, 宏治; 大内, 潔; 内山, 博幸; 谷口, 隆文; 望月, 和浩; 中村, 徹; OKA, Tohru; HIRATA, Koji; OUCHI, Kiyoshi; UCHIYAMA, Hiroyuki; TANIGUCHI, Takafumi; MOCHIZUKI, Kazuhiro; NAKAMURA, Tohru
• Publication, Distribution, etc.: 電子情報通信学会
• Publication Date: 1999-01-20
• Publication Date (W3CDTF): 1999-01-20
• Alternative Title: Ultra-high-speed Small-scaled InGaP/GaAs HBT's and their Circuit Applications
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
• No. or year of volume/issue: 523
• Issue: 523
• Pages: 1-6
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: HBT; InGaP; GaAs; SiO_2; 分周器
• Target Audience: 一般
• Note (General): 信学技報 Technical Report of IEICE. ED98-183, MW98-146, ICD98-250
• Format (IMT): application/pdf
• Source: k_R015IEICE05.pdf （fulltext）; https://hosei.ecats-library.jp/da/repository/00005427/k_R015IEICE05.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Rights (production): Copyright (C) 1999, IEICE; 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
• Related Material (NCID): AN10013276; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013276
• Related Material (NAID): 110003317223; https://ci.nii.ac.jp/naid/110003317223
• Periodical Title (NCID): AN10013276; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013276
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 法政大学 : 法政大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 外部コレクタ寄生領域がSiO_2で埋め込まれた構造を有する微細InGaP/GaAs HBTの高速動作性能を向上させるため, プロセスの改良およびデバイス構造の最適化を行った。埋め込みSiO_2領域で生じる寄生容量は従来比で約50%低減することができ, 単体の素子の性能としては, エミッタサイズS_E...