超高真空対応非接触容量 : 電圧法によるシリコンの清浄表面と不活性化表面の評価
デジタルデータあり(北海道大学学術成果コレクション)
すぐに読む
学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
書店で探す
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
その他
北海道大学学術成果コレクション
デジタル連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。北海道大学学術成果コレクションのサイトで この本を確認
書店で探す
書誌情報
この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 吉田, 俊幸
- 出版年月日等
- 2001-03-23
- 出版年(W3CDTF)
- 2001
- 並列タイトル等
- Ultrahigh Vacuum Contactless Capacitance-Voltage Characterization of Clean and Passivated Silicon Surfaces
- 授与機関名
- 北海道大学Hokkaido University
- 報告番号
- 甲第5529号
- 学位
- 博士(工学)