AlGaN/GaNヘテロ構造における表面・界面の評価および制御とトランジスタ応用 [論文内容及び審査の要旨]

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: AlGaN/GaNヘテロ構造における表面・界面の評価および制御とトランジスタ応用 [論文内容及び審査の要旨]
• 著者・編者: 越智, 亮太
• 著者標目: 越智, 亮太
• 出版事項: Hokkaido University
• 出版年月日等: 2024-03-25
• 出版年（W3CDTF）: 2024-03-25
• 並列タイトル等: Characterization and control of surface and interface on AlGaN/GaN heterostructures for transistor applications [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
• 寄与者: 本久, 順一; 太田, 裕道; 赤澤, 正道
• 授与機関名: 北海道大学
• 報告番号: 甲第16003号
• 学位: 博士(工学)
• 本文の言語コード: jpn
• NDC: 500
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: (主査) 教授 本久 順一, 教授 太田 裕道, 准教授 赤澤 正道; 情報科学院(情報科学専攻)
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 著作権情報: Creative Commons Attribution 4.0 International
• 参照（URI）: HDL; http://hdl.handle.net/2115/91955
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北海道大学 : 北海道大学学術成果コレクション

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