飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用
• 著者・編者: 横山, 新; 廣瀬, 全孝; 宮崎, 誠一; 桜田, 勇蔵
• 著者標目: 横山, 新; 廣瀬, 全孝; 宮崎, 誠一; 桜田, 勇蔵
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 表面損傷; 中速イオン散乱; イオン注入装置; 飛行時間測定; 不純物分布; 半導体検出器; スペクトルシミュレーション; プラズマ損傷; semiconductor detector; time of flight measurement; アンチモンイオン注入; ion implanter; surface damage; plasma-induced damage; impurity profile; spectra simulation; コンタクトホール; アルゴンプラズマ; medium energy ion scattering
• NDC: 540
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:text; 研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096; 原著には既発表論文の別刷を含む。
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 広島大学 : 広島大学学術情報リポジトリ