飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用

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Note (General)：: type:text研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096原著には既発表論文の別刷を含む。

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Material Type: 文書・図像類
Title: 飛行時間測定法を用いた中速イオン散乱法の開発と半導体プロセス評価への応用
Author/Editor: 横山, 新
廣瀬, 全孝
宮崎, 誠一
桜田, 勇蔵
Author Heading: 横山, 新
廣瀬, 全孝
宮崎, 誠一
桜田, 勇蔵
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 表面損傷
中速イオン散乱
イオン注入装置
飛行時間測定
不純物分布
半導体検出器
スペクトルシミュレーション
プラズマ損傷
semiconductor detector
time of flight measurement
アンチモンイオン注入
ion implanter
surface damage
plasma-induced damage
impurity profile
spectra simulation
コンタクトホール
アルゴンプラズマ
medium energy ion scattering
NDC: 540
Target Audience: 一般
Note (General): type:text
研究期間:平成6-8年度 ; 研究種目:基盤研究A1 ; 課題番号: 06555096
原著には既発表論文の別刷を含む。
Format (IMT): application/pdf
Source: http://ir.lib.hiroshima-u.ac.jp/files/public/2/26493/20141016154423627479/06555096.pdf
http://ir.lib.hiroshima-u.ac.jp/files/public/2/26493/20141016154423627479/06555096.pdf
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 広島大学 : 広島大学学術情報リポジトリ