Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires

• 資料種別: 記事
• タイトル: Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires
• 著者標目: Kawamura, Kensaku; Kidera, Toshiro; Nakajima, Anri; Yokoyama, Shin
• 出版年月日等: 2002-04-15
• 出版年（W3CDTF）: 2002-04-15
• タイトル（掲載誌）: Journal of Applied Physics
• 巻号年月日等（掲載誌）: 91 8
• 掲載巻: 91
• 掲載号: 8
• 掲載ページ: 5213-5220
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-04-15
• ISSN（掲載誌）: 00218979
• 出版事項（掲載誌）: American Institute of Physics
• 本文の言語コード: en
• 件名標目: General Physics and Astronomy
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.1464650; https://doi.org/10.1063/1.1464650
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 著作権情報: Copyright (c) 2002 American Institute of Physics.
• 関連情報（URI）: https://hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/2007188; https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/91/8/5213/19183744/5213_1_online.pdf
• 参照: Electrical Conduction in 10nm Thin Polysilicon Wires from 4 to 400K and Their Operation for Hybrid Memory; https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359185224448
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: 学術機関リポジトリデータベース; https://irdb.nii.ac.jp; Crossref; https://www.crossref.org; CiNii Articles
• NII論文ID: 120000879699

• 要約等: <jats:p>Narrow (⩾95 nm) and extremely thin (∼7 nm) heavily phosphorous-doped polycrystalline-silicon (poly-Si) wires were fabricated by low-pressure c...